針對組合邏輯電路的抗輻射加固研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著集成電路設(shè)計工藝的進步和設(shè)計技術(shù)的革新,其工藝尺寸快速下降,輻射誘導的軟錯誤在數(shù)字系統(tǒng)中變得越來越嚴重,數(shù)字電路的可靠性受到嚴重的威脅。針對集成電路的抗輻射加固研究已成為近年來國內(nèi)外微電子學領(lǐng)域日益關(guān)注的課題之一。早期的研究認為,組合邏輯電路的軟錯誤率由于三種屏蔽效應—邏輯屏蔽、電氣屏蔽、鎖存窗口屏蔽的存在,相對于時序邏輯電路的軟錯誤率是可以忽略不計的。但是隨著工藝尺寸隨摩爾定律不斷下降,三種屏蔽效應作用的減弱,組合邏輯電路的軟錯誤

2、率不斷上升并在某些電路中超過了時序邏輯電路的軟錯誤率,嚴重影響了集成電路的可靠性和可用性。
  針對以上問題,本文做了以下幾方面的工作。
  首先,學習集成電路軟錯誤的相關(guān)概念并研究軟錯誤產(chǎn)生的機理,研究邏輯門的三種屏蔽效應—邏輯屏蔽、電氣屏蔽、鎖存窗口屏蔽,分析故障脈沖的生成和傳播機制及對集成電路可靠性的影響。分析并比較國內(nèi)外現(xiàn)有組合邏輯抗輻射加固技術(shù)。
  其次,分析了CVSL門的特性,提出“CVSL門對”結(jié)構(gòu)并驗

3、證其容錯性能。CVSL門的雙存儲方式和內(nèi)部反饋結(jié)構(gòu)使其具有比普通CMOS門更強的電氣屏蔽能力,對故障脈沖的傳播具有較強的免疫能力。
  最后,提出了基于“CVSL門對”結(jié)構(gòu)的組合邏輯選擇性加固策略。使用加州大學開源工具BFIT對組合邏輯電路的節(jié)點進行軟錯誤敏感度評估,據(jù)此提出對組合邏輯進行選擇性加固的選擇策略,該策略使用所提的“CVSL門對”結(jié)構(gòu)與電路中軟錯誤敏感觸發(fā)器相連的輸出端進行替換,有效提高組合邏輯電路的可靠性和可用性。使

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