基于自組裝金屬納米晶MOS電容存儲(chǔ)效應(yīng)及其機(jī)理的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、浙江師范大學(xué)2009級(jí)碩士學(xué)位論文基于自組裝金屬納米晶MOS電容存儲(chǔ)效應(yīng)及其機(jī)理的研究STUDYOFM口EMORYEFFECTSANDIⅥECHANISMFoRSELFASSEMBLYMETALNANOCRYSTf氣LEM口BEDDEDMOSCAPACITOR申請學(xué)位類別和級(jí)別：理學(xué)碩士學(xué)位學(xué)科專業(yè)：凝聚態(tài)物理研究生：程佩紅指導(dǎo)教師：黃仕華教授學(xué)位授予單位：浙江師范大學(xué)論文提交日期：2012年4月6日摘要確定，隨著生長溫度的增加，其存儲(chǔ)

2、窗13先增加到最大值再降低，襯底溫度為300oC時(shí)其MOS結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)窗口(278v)最大。與快速熱退火法所形成的MOS器件相比較，在相同的掃描電壓范圍(士6V，存儲(chǔ)窗口為126V)而言，此淀積自組裝制備的MOS電容具有更強(qiáng)的電荷存儲(chǔ)能力，且熱功耗更低。另外，研究了不同操作電壓和脈沖時(shí)間下器件的平帶電壓偏移量，當(dāng)操作電壓增)JD至lJ10V時(shí)出現(xiàn)了較大的平帶電壓偏移量，這表明器件發(fā)生了大量的載流子(電子和空穴)注入現(xiàn)象。再者，當(dāng)脈沖積累時(shí)

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