存儲器輻照總劑量試驗方法研究.pdf

1、存儲器廣泛應(yīng)用于衛(wèi)星、航天等具有輻照性的領(lǐng)域。研究表明,輻照后存儲器參數(shù)退化是該類器件穩(wěn)定性降低的主要因素之一,因此迫切需要提出一套科學(xué)合理的輻照總劑量試驗方法,對存儲器輻照損傷效應(yīng)進(jìn)行研究。
　　 本文首先介紹研究背景、研究現(xiàn)狀、需要解決的問題。其次,從MOS器件中最常用的SiO2介質(zhì)材料出發(fā),研究了SiO2介質(zhì)材料的輻照損傷效應(yīng)和機理。從MOS管的結(jié)構(gòu)和應(yīng)用出發(fā),研究了輻照在MOS電路中引起的缺陷和對MOS電路表面物理特性的

2、影響,探討了MOS器件輻照電參數(shù)的退化和輻射損傷的微觀機理。第三,通過深入調(diào)研和分析國內(nèi)外存儲器總劑量輻照試驗的研究成果,獲取第一手試驗數(shù)據(jù),從中確定存儲器工作模式、試驗中測試參數(shù)、不同劑量率輻照等試驗條件的規(guī)律,同時結(jié)合對存儲器工藝技術(shù)、類型和工作模式機理的分析,總結(jié)出各種工作模式,不同劑量率輻照對試驗結(jié)果的影響、高溫退火對總劑量效應(yīng)試驗的影響。第四,通過設(shè)計輻照試驗,對存儲器按設(shè)計好的試驗程序進(jìn)行輻照,驗證高溫加速退火試驗程序?qū)Ψ€(wěn)態(tài)