非接觸化學機械拋光的材料去除機理研究.pdf

1、隨著集成電路(Integrated Circuit，IC)制造的進一步精細化(到2010年將跨進線寬32nm和直徑450mm的時代)，芯片的表面平整度必須達到亞納米級(<1nm)；另外，為了提高計算機磁盤的存儲密度，對磁頭和磁盤的表面的粗糙度要求也越來越高(Ra≤0.1nm)，因而，表面的全局平整度要求已成為當今電子工業(yè)所面臨的挑戰(zhàn)。化學機械拋光(Chemical Mechanical Polishing/Planarization，C

2、MP)憑借其良好的全局平坦化能力已成為日前唯一的最有效加工手段，在實踐中得到了廣泛地應用。對CMP的研究也成為當今的熱點問題。 本文主要對CMP加工過程中一種典型的機械作用接觸模型、即流體動力學模型進行探討。運用經(jīng)典碰撞理論、流體動力學理論和摩擦學理論對其進行相應的磨損機理方面的分析，探討了納米級顆粒在拋光摯和晶片處于非接觸狀態(tài)時的運動狀態(tài)，對拋光片表面材料去除的貢獻，以及其運動的軌跡；綜合考慮化學機械拋光中各因素(如：納米級顆