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1、硅基薄膜廣泛用于太陽能電池和TFT顯示領(lǐng)域,PECVD法是制備硅基薄膜的主要方法,但傳統(tǒng)的13.56MHz PECVD法不能滿足工業(yè)化生產(chǎn)大批量,低成本的要求.研究證明VHF-PECVD法可以實現(xiàn)大面積,高速率的沉積硅基薄膜.該論文主要進(jìn)行了如下幾方面的工作:在用VHF-PECVD技術(shù)沉積大面積硅基薄膜中,最主要的問題是大面積的均勻性,而影響薄膜均勻性的主要因素是電極上電場分布的均勻性.我們對電場分布進(jìn)行了研究,通過實驗以及文獻(xiàn)調(diào)研發(fā)現(xiàn)
2、,當(dāng)激發(fā)頻率在VHF頻段時駐波和損耗波對電場均勻性分布影響很大,而通過選擇不同的電源饋入方式可以減小它們的影響,所以電源饋入方式是解決問題的關(guān)鍵.通過實驗,我們最終確定采用中心饋入法,用這種方法我們制備出了面積為23×24cm<'2>,不均勻性<±10﹪的非晶硅薄膜材料.我們主要研究了如何獲得大面積,均勻的,高沉積速率的器件級非晶硅材料,并就工作壓力,沉積功率,流量等工作參數(shù)對均勻性,沉積速率,材料特性的影響進(jìn)行了研究.研究發(fā)現(xiàn)在一定的
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