碳化硅器件技術(shù)及特性的模擬與實(shí)驗(yàn)研究.pdf_第1頁(yè)
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1、該文主要研究了碳化硅場(chǎng)效應(yīng)器件的特性和器件制作的工藝技術(shù).根據(jù)半導(dǎo)體器件物理理論,推導(dǎo)和編程計(jì)算了n溝6H-SiC MOSFET的閾值電壓和非飽和區(qū)跨導(dǎo)的主要解析公式,并結(jié)合二維器件仿真軟件MEDICI模擬研究,對(duì)n溝6H-SiC MOSFET的閾值電壓和跨導(dǎo)的溫度特性進(jìn)行了詳細(xì)探討.研究表明界面陷阱密度、體內(nèi)雜質(zhì)不完全離化以及表面空間電荷層雜質(zhì)離化程度對(duì)器件閾值電壓溫度特性都有一定的影響;而器件的非飽和區(qū)跨導(dǎo)隨著溫度的上升都出現(xiàn)先上升

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