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文檔簡介
1、溫度為40℃的條件下,利用液相沉積技術在砷化鎵表面制備富氧的氧化硅薄膜,用來作砷化鎵表面的鈍化膜.之后采用掃描電子顯微鏡(SEM)、能量散射譜(EDX)、俄歇電子能譜(AES)、傅立葉變換紅外光譜(FTIR)對氧化硅薄膜進行分析.掃描電子顯微鏡照片顯示出生長氧化硅薄膜之后的砷化鎵表面還是比較平坦的;能量散射譜表明薄膜是由硅和氧兩種元素組成,原子百分比為1:6,不是1:2;由俄歇電子能譜得知薄膜的平均生長速率為1.43A<'o>/min.
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