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文檔簡介
1、Si基材料光發(fā)射的研究是當(dāng)前半導(dǎo)體光電子學(xué)與光子學(xué)中迅速發(fā)展起來的一個(gè)前沿領(lǐng)域，Si基量子點(diǎn)的光發(fā)射是近年來極引人注目的新研究方向。本文闡述了Si基光發(fā)射材料的研究進(jìn)展及它在硅基光電子集成中的重要地位，從三維受限量子點(diǎn)的分立能級(jí)和δ函數(shù)狀的態(tài)密度分布入手，著重討論了Si基量子點(diǎn)激光器的增益、微分增益、閾值電流及閾值電流的溫度特性。分析表明，與普通激光器和量子阱激光器相比，Si基量子點(diǎn)激光器有更高的增益和微分增益，閾值電流更低，閾值電流對(duì)
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