離子液體中金屬基體表面上電鍍鋁及其AAO模板的制備和應(yīng)用.pdf

1、采用摩爾比為1:2的離子液體[BMIC]-AlCl3，在金屬基體（不銹鋼、銅片）表面上電鍍鋁，得到一定厚度的鋁鍍層；對(duì)此鋁鍍層進(jìn)行陽(yáng)極氧化處理，在金屬基體表面鋁鍍層上形成納米或微米級(jí)的微孔，一方面以微孔為模板，在不銹鋼基體上制備腐蝕微坑，并除去模板層；另一方面，采用直流電化學(xué)沉積的方法在自制的陽(yáng)極氧化鋁微孔中沉積金屬鎳，除去部分AAO模板后得到鎳微電極。
　　本文主要得到了以下結(jié)果：在溫度為50~55℃，添加劑（甲苯）含量為1％（

2、體積分?jǐn)?shù)），電流密度為15~20mA/cm2，電鍍時(shí)間為40min條件下，可得到有一定厚度、致密平整、結(jié)合力強(qiáng)的鋁鍍層；對(duì)此鋁鍍層進(jìn)行陽(yáng)極氧化，能夠在金屬基體表面鋁鍍層上形成納米或微米級(jí)的微孔，以草酸作為電解液制備AAO模板時(shí)，草酸溶液濃度為0.3mol/L，氧化電壓為5~13V，溫度控制在10℃左右，氧化時(shí)間為15~30min；以硫酸為電解液制備AAO模板時(shí)，硫酸溶液濃度為160g/L，氧化電壓為5~10V，溫度控制在15℃左右，氧化

3、時(shí)間為10~15min，能夠在金屬基體表面形成具有納米或微米尺寸微孔的氧化鋁層。
　　在金屬基體表面制得的微坑與常規(guī)直接在純鋁片上陽(yáng)極氧化后獲得的微孔模板形貌不同，不是常見(jiàn)的六邊形；另外，在陽(yáng)極氧化的同時(shí)既在金屬基體表面形成了微坑也除去了部分鋁鍍層。在自制的陽(yáng)極氧化鋁模板中電沉積金屬鎳的最佳工藝參數(shù)是：恒流條件下沉積的電流密度為70mA/cm2，溫度為50℃，沉積時(shí)間為1.5min。
　　最后通過(guò)SEM觀察了鋁鍍層、金屬表面