Ni和CNTs-Ni薄膜電沉積工藝及性能研究.pdf

1、復(fù)合電沉積可以制備厚度在20μm~180μm的薄膜,也可以將金屬沉積到碳納米管表面,從而得到一維復(fù)合材料。這些技術(shù)可應(yīng)用于納米傳感器及磁頭等電子計(jì)算機(jī)領(lǐng)域。
　　本文采用電沉積及復(fù)合電沉積的方法在純Al表面制備了純Ni及CNTs/Ni薄膜,采用SEM、XRD、顯微硬度儀、動(dòng)態(tài)力學(xué)性能分析儀對電沉積鎳和碳納米管增強(qiáng)鎳基復(fù)合薄膜的組織、結(jié)構(gòu)及性能進(jìn)行了表征。探討了電解液液pH值、陰極電流密度及電解液中碳納米管濃度對薄膜組織及性能的影響

2、,以及相關(guān)工藝條件下Ni及CNTs/Ni薄膜生長規(guī)律。
　　實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示,電流密度和電解液pH值對薄膜的形貌及性能影響較大。電流密度小于1A/dm2時(shí),晶粒非常細(xì)小,超過1A/dm時(shí),隨著電流密度增加,塊狀等軸晶粒尺寸增長較大,晶粒隨電流密度增加粗化現(xiàn)象明顯。隨電流密度增大(200)晶面的擇優(yōu)取向傾向逐漸變強(qiáng)。pH等于5.5,晶粒形貌由粒狀轉(zhuǎn)變?yōu)闂l狀,并且晶粒的取向也發(fā)生改變,由(200)轉(zhuǎn)變?yōu)?111)。在pH為5.0時(shí)獲得的N