CdS層間插入的CdS-H_4Nb_6O_(17)復合材料的制備及其光催化性能研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、二十世紀以來,人類的工業(yè)文明得以迅速發(fā)展,由此引發(fā)的能源危機和環(huán)境污染成為人們亟待解決的問題。占地球總能量的99%以上的太陽能作為一種可再生資源,具有所有其它能源所不可比擬的優(yōu)點。因此開發(fā)和利用太陽能是解決世界范圍內(nèi)能源危機和環(huán)境污染問題的一條重要途徑。而納米光催化技術(shù)無論在利用太陽能方面還是在綜合治理環(huán)境污染方面都展現(xiàn)出了廣闊的應用前景。而實現(xiàn)這一技術(shù)的關(guān)鍵是高效光催化劑的獲得。氧化物半導體TiO_2是使用最多的光催化劑,但由于其較寬

2、的禁帶寬度(3.2eV)限制了其光催化效率的提高。而其他單一的半導體材料又具有各種各樣的缺點,因而近年來復合薄膜和顆粒的研究及使用越來越受到廣泛的重視。其中層狀納米復合半導體材料由于具有二維空間結(jié)構(gòu)所帶來的光催化效率高、反應活性高、反應速度快等特點而成為近期人們研究重點。層狀化合物中的鈮酸鉀K_4Nb_6O_(17)已被證實是一種性能優(yōu)異的半導體材料,具有光催化和光電轉(zhuǎn)換性能,其獨特的結(jié)構(gòu)是處于層間的帶正電的K~+可以被其它陽離子所替代

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