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文檔簡介
1、YBa2Cu3O7-δ高溫超導材料在超導發(fā)電機、電動機、強場磁體、限流器、儲能系統(tǒng)等方面有著廣泛的應用前景。但是直接在柔性的金屬Ni基帶上制備YBCO涂層導體難度很大,主要是薄膜的快速制備、晶格失配以及離子擴散等問題都有待研究并解決。
本論文基于金屬有機物化學氣相沉積法(MOCVD)在 LaAlO3單晶以及雙軸織構(gòu)的鎳鎢合金(Ni-5%W/Y2O3/YSZ/CeO2)基帶上生長YBCO超導薄膜。自行設(shè)計和搭建了MOCVD實驗系
2、統(tǒng)。通過實驗,對在單晶基底上制備YBCO薄膜的生長工藝、結(jié)構(gòu)做了系統(tǒng)的研究,并在此基礎(chǔ)之上對在金屬基底上制備YBCO涂層導體做了初步的探索性研究,為后期超導帶材的快速制備打下了基礎(chǔ)。主要內(nèi)容如下:
1.設(shè)計并搭建了實驗用的MOCVD系統(tǒng),并通過實驗對系統(tǒng)進行了改進。
?。?)設(shè)計了一套適合液相金屬有機源進液并進行閃蒸的系統(tǒng),通過使用開有微孔的毛細管,將氣體與金屬有機源液體混合,保證了連續(xù)穩(wěn)定的金屬有機源輸運,實現(xiàn)了實驗
3、的穩(wěn)定性,為后期工業(yè)化生產(chǎn)研究打下基礎(chǔ)。
?。?)對不同反應室噴口設(shè)計的系統(tǒng)進行對比實驗。通過改進系統(tǒng)氣流控制系統(tǒng),使得基底上方的氣流速度減慢并容易得到控制。在LAO的單晶基底上制備出了完全c軸取向的YBCO外延薄膜。其薄膜表面均勻,致密,晶粒之間連續(xù)性好,測得臨界電流密度Jc為0.2MA/cm2。
2.在LaAlO3單晶基底上生長YBCO外延薄膜,研究了工藝參數(shù)(溫度、總壓強、氧分壓)對YBCO薄膜的結(jié)構(gòu)、表面形貌以
4、及成分比例的影響,并優(yōu)化了生長工藝。獲得了完全c軸取向YBCO薄膜,面外半高寬為0.4°,薄膜表面晶粒連續(xù)、均勻,其臨界電流密度達到了0.6 MA/cm2。
3.在多層過渡層結(jié)構(gòu)的Ni-5%W/Y2O3/YSZ/CeO2基底上研究制備YBCO涂層導體。研究了過渡層中CeO2層的面外取向?qū)BCO薄膜結(jié)構(gòu)的影響,發(fā)現(xiàn)面外半高寬越小,獲得的YBCO涂層導體結(jié)構(gòu)越好。在CeO2層半高寬為5.5°時獲得(005)峰半高寬僅為3.5°的
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