FN-DLC介電性與場發(fā)射性研究.pdf

1、隨著超大規(guī)模集成電路（VLSI）的發(fā)展，器件尺寸越來越小，由此導(dǎo)致RC延時成為制約IC性能提高的技術(shù)瓶頸，F(xiàn)N-DLC有著較低的介電常數(shù)與良好的穩(wěn)定性，以及較低的功函數(shù)，在微電子與場發(fā)射顯示方面有良好的應(yīng)用前景。 本論文采用射頻等離子體增強化學(xué)氣相沉積（RF-PECVD）法，以CF4、CH4、N2為源氣體制備了N摻雜FDLC薄膜。摻雜是解決FDLC薄膜高熱穩(wěn)定性和低介電常數(shù)之間矛盾的一種手段，通過對薄膜宏觀和微觀性質(zhì)的分析，采用

2、AFM、XRD、Raman、C-V、場發(fā)射測試儀等現(xiàn)代化測試手段，研究了制備工藝對改性前后的FN-DLC薄膜電學(xué)以及場發(fā)射性能的影響。 研究發(fā)現(xiàn)薄膜的介電常數(shù)隨著氮流量比的增加而上升。退火后，摻氮薄膜的介電常數(shù)的增加幅度沒有未摻氮薄膜幅度大。摻氮降低了薄膜的閾值電壓。發(fā)射電流隨著N源流量比r的增大而增大，當(dāng)增大到一定程度時，發(fā)射電流有所減小。在硅陣列上沉積的FN-DLC薄膜的發(fā)射電流比直接沉積的薄膜發(fā)射電流要大，退火后，薄膜的穩(wěn)