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1、該文論文希望通過(guò)對(duì)其電學(xué)性質(zhì)的研究來(lái)探索適用于TiO<,2>壓敏電阻的理論模型.該篇論文首先以TiO<,2>WO<,3>系列壓敏材料為例,比較詳細(xì)的研究了該系列壓敏材料的微觀(guān)結(jié)構(gòu)、非線(xiàn)性電學(xué)性質(zhì)、介電性質(zhì).通過(guò)晶格缺陷理論分析了該系列壓敏材料內(nèi)部的缺陷形成過(guò)程及分布范圍,類(lèi)比于ZnO壓敏電阻的晶界勢(shì)壘模型提出了適用于TiO<,2>壓敏電阻的晶界缺陷勢(shì)壘模型.為了使我們的認(rèn)識(shí)更加全面,我們還研究了該系列壓敏材料的偏壓特性、等效電路以及燒結(jié)
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