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1、該文主要研究了影響振蕩器相位噪聲的主要因素,并且提出改善振蕩器相位噪聲性能的方法.主要研究?jī)?nèi)容包括:一、根據(jù)振蕩器相位噪聲模型,得出了影響振蕩器相噪性能的兩個(gè)主要因素:構(gòu)成振蕩器的有源器件的相位噪聲性能和振蕩器諧振器的品質(zhì)因數(shù).然后比較了GaInP/GaAs HBT與其它器件的相噪特性.二、完成了GaInP/GaAs HBT工藝流片,研究了流片過程中的幾個(gè)關(guān)鍵工藝,給出了器件直流和交流測(cè)試結(jié)果.三、提出了一種簡(jiǎn)單有效的HBT小信號(hào)等效電
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