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1、 本論文用化學(xué)鍍技術(shù)，在單晶硅表面構(gòu)建了納米尺度的金屬薄膜，利用電化學(xué)陽(yáng)極溶出法(ASV)，開(kāi)路電位～時(shí)間曲線法(OCP-t)，掃描隧道顯微鏡(STM)，原子力顯微鏡(AFM)，X射線光電子能譜(XPS)，X射線能量色散譜(EDX)，X射線衍射(XRD)等方法對(duì)薄膜的制備以及其成核機(jī)理進(jìn)行了研究和表征，實(shí)現(xiàn)了由“材料制備”到“材料分析”的交叉、配套性研究。 主要內(nèi)容包括：用循環(huán)伏安法對(duì)經(jīng)化學(xué)刻蝕與未經(jīng)化學(xué)刻蝕的單晶硅片在Ag(NH
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