多孔氧化鋁模板的一維無機納米材料的組裝及性能研究.pdf

1、近年來，一維納米結(jié)構(gòu)材料由于其獨特的電學(xué)、光學(xué)、磁學(xué)以及催化性能，成為當(dāng)今納米材料研究的前沿和熱點。
　　 本文以多孔氧化鋁（PAM）為模板，采用交流電化學(xué)沉積的方法制備了Fe、Co、Ni、FexCo1-x、Cu、Ag納米線，采用化學(xué)氣相沉積的方法制備了碳納米管。利用掃描電鏡（SEM）、X射線衍射（XRD）、透射電鏡（TEM）、能譜（EDS）、紅外透過光譜（IR）、紫外可見光吸收光譜（UV-vis）、振動樣品磁強計（VSM）以及

2、光致發(fā)光（PL）等分析測試手段，對所合成的一維納米結(jié)構(gòu)材料的形貌、結(jié)構(gòu)、成分以及物性進行了研究，進一步探討了它們的生長條件和形成機制。主要的內(nèi)容和結(jié)論如下：
　　 采用二次陽極氧化的方法，在草酸溶液中制備出孔徑約為50nm，排列高度有序的PAM，并對模板的形貌、生長機理、耐高溫性能及光致發(fā)光性能進行了研究。
　　 以階梯降壓處理后的PAM為模板，通過交流電化學(xué)沉積成功制備了直徑約50nm的Fe、Co、Ni及FexCo1-

3、x合金納米線，并對不同條件下制備的納米線的磁性進行了研究，發(fā)現(xiàn)易磁化軸均沿納米線的長軸方向，納米線陣列具有較好的磁各向異性。調(diào)節(jié)電解液的pH，在PAM中交流電化學(xué)沉積制備了Cu、Cu2O單質(zhì)及其復(fù)合體納米線。當(dāng)pH≤3時，可以得到單質(zhì)Cu納米線；當(dāng)pH=4時，可以得到Cu/Cu2O復(fù)合體納米線；當(dāng)pH=5時，可以制備Cu2O納米線。以階梯降壓處理后的PAM為模板，采用交流電沉積方法制備了六方相（4H）亞穩(wěn)態(tài)結(jié)構(gòu)的Ag納米線，這是由于尺寸