多孔氧化鋁模板的一維無機納米材料的組裝及性能研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、近年來,一維納米結構材料由于其獨特的電學、光學、磁學以及催化性能,成為當今納米材料研究的前沿和熱點。
   本文以多孔氧化鋁(PAM)為模板,采用交流電化學沉積的方法制備了Fe、Co、Ni、FexCo1-x、Cu、Ag納米線,采用化學氣相沉積的方法制備了碳納米管。利用掃描電鏡(SEM)、X射線衍射(XRD)、透射電鏡(TEM)、能譜(EDS)、紅外透過光譜(IR)、紫外可見光吸收光譜(UV-vis)、振動樣品磁強計(VSM)以及

2、光致發(fā)光(PL)等分析測試手段,對所合成的一維納米結構材料的形貌、結構、成分以及物性進行了研究,進一步探討了它們的生長條件和形成機制。主要的內容和結論如下:
   采用二次陽極氧化的方法,在草酸溶液中制備出孔徑約為50nm,排列高度有序的PAM,并對模板的形貌、生長機理、耐高溫性能及光致發(fā)光性能進行了研究。
   以階梯降壓處理后的PAM為模板,通過交流電化學沉積成功制備了直徑約50nm的Fe、Co、Ni及FexCo1-

3、x合金納米線,并對不同條件下制備的納米線的磁性進行了研究,發(fā)現(xiàn)易磁化軸均沿納米線的長軸方向,納米線陣列具有較好的磁各向異性。調節(jié)電解液的pH,在PAM中交流電化學沉積制備了Cu、Cu2O單質及其復合體納米線。當pH≤3時,可以得到單質Cu納米線;當pH=4時,可以得到Cu/Cu2O復合體納米線;當pH=5時,可以制備Cu2O納米線。以階梯降壓處理后的PAM為模板,采用交流電沉積方法制備了六方相(4H)亞穩(wěn)態(tài)結構的Ag納米線,這是由于尺寸

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