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文檔簡介
1、高純鋁在酸性溶液中陽極氧化會在其表面形成多孔氧化鋁(porous anodicalumina,PAA),孔徑、孔間距尺寸小而可控,孔均勻性高且縱橫比大,這些結構特點決定了它廣泛地用作模板來合成一維納米材料. 本課題采用兩步陽極氧化,在草酸和硫酸電解液中制備出了孔徑在20-100nm的PAA.利用PAA的掃描電子顯微鏡(SEM)照片分析其孔結構,在此基礎之上系統(tǒng)地研究了陽極氧化電壓、草酸濃度和鋁基體經(jīng)不同溫度退火后的組織對PAA結
2、構和均勻性的影響；并根據(jù)陽極氧化過程中的電流密度變化分析了其影響機理.研究結果表明:陽極氧化電壓升高,所得多孔氧化鋁的孔徑、孔間距呈線性增大；草酸濃度提高,形成的多孔氧化鋁的孔徑呈線性增大、孔間距保持不變；鋁基體退火溫度升高,多孔氧化鋁膜的均勻性提高.研究還發(fā)現(xiàn),當陽極氧化電壓大于60V,會形成氧化鋁納米線(alumina nanowires,ANW),結合PAA的結構和不同階段試樣表面的SEM照片分析了PAA中薄壁被擊穿和ANW的形成
3、全過程. 對制備的PAA進行了光致發(fā)光性能測試.結果表明,PAA具有位于460nm左右的明顯藍色光致發(fā)光帶,位于480-530nm之間的肩峰,隨陽極氧化電壓的升高向長波方向移動；隨著陽極氧化電壓升高發(fā)光強度降低、半峰寬增大.結合PAA的孔結構分析了這些發(fā)光性能的變化和PAA的發(fā)光機理.根據(jù)EDS結果分析了草酸PAA和硫酸PAA發(fā)光強度的差異. 采用化學沉積技術在PAA模板中簡單地制備出直徑在20-100nm的銀納米線陣列
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