溶膠凝膠法制備ZnO和Mg-,x-Zn-,1-x-O薄膜及其性能研究.pdf

1、氧化鋅是一種Ⅱ-Ⅵ族寬禁帶氧化物半導(dǎo)體材料.傳統(tǒng)上,ZnO薄膜被廣泛應(yīng)用于聲表面波器件、體聲波器件、氣敏傳感器、壓敏電阻、透明電極、紫外探測器等領(lǐng)域.近年來,ZnO作為寬禁帶半導(dǎo)體光電材料的研究越來越受到人們的重視.ZnO薄膜具有多項(xiàng)優(yōu)點(diǎn),如生長溫度低,激子結(jié)合能高,受激輻射閥值低等.利用MgxZn1-xO薄膜,可以在保持ZnO六方纖鋅礦(Wurtzite)結(jié)構(gòu)的同時(shí)有效調(diào)節(jié)調(diào)節(jié)薄膜的禁帶寬度,制備出基于氧化鋅的量子阱、超晶格及相關(guān)的光

2、電器件,如基于氧化鋅的紫外光探測器、紫外發(fā)光二極管和紫外激光二極管等光電子器件.該論文綜述了ZnO薄膜的各種生長技術(shù)及其原理,并概括了氧化鋅薄膜研究的最新進(jìn)展.利用溶膠凝膠法成功地在石英玻璃和單晶硅片等襯底上制備出了c軸擇優(yōu)取向的ZnO薄膜,并利用X射線衍射儀、紫外-可見光光譜儀、熒光光譜儀等對ZnO薄膜的結(jié)構(gòu)和性能進(jìn)行了測試、分析,并研究了熱處理參數(shù)等條件對ZnO薄膜性能的影響.利用MgxZn1-xO薄膜成功實(shí)現(xiàn)了ZnO薄膜禁帶寬度的