GaN基HEMTs器件表面態(tài)及界面態(tài)研究.pdf

1、AlGaN/GaN HEMTs器件在無線通信和雷達(dá)領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景，但是由于器件體材料中的陷阱、表面態(tài)導(dǎo)致 GaN基HEMTs擁有較大的柵泄漏電流，影響其可靠性，限制了它在商業(yè)領(lǐng)域的應(yīng)用，因此，探索器件中的陷阱能級、提高器件的可靠性是非常有必要的。
　　本文利用多種表征手段對 AlGaN/GaN HEMTs及Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTs的表面態(tài)及界面態(tài)進行了研究和分析。首先利用脈沖測試技術(shù)，對二者的表面

2、態(tài)進行了定性的分析，利用變化脈寬的方法，觀察到器件的脈沖電流在不同脈寬下由表面陷阱俘獲電子而產(chǎn)生的變化。然后利用電導(dǎo)法定量的分析了AlGaN/GaN HEMTs及Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTs的表面態(tài)及界面態(tài)，得到了AlGaN表面態(tài)、Al2O3/AlGaN及AlGaN/GaN界面態(tài)的具體信息，包括陷阱態(tài)密度、陷阱時常數(shù)及陷阱能級。最后利用柵延遲法研究了兩種器件的表面陷阱，分析得到 AlGaN/GaN HEMTs器的三