圓片級(jí)感應(yīng)局部加熱封裝技術(shù)研究.pdf

1、目前，封裝和集成已成為制約MEMS產(chǎn)業(yè)化的一個(gè)技術(shù)瓶頸。感應(yīng)加熱主要利用電磁感應(yīng)原理，具有加熱速度快、選擇性加熱等特點(diǎn)，非常適合于MEMS器件的局部加熱封裝。本論文圍繞圓片級(jí)感應(yīng)局部加熱鍵合技術(shù)，設(shè)計(jì)制作了射頻感應(yīng)加熱封裝樣機(jī)，并開展了圓片級(jí)感應(yīng)加熱鍵合工藝研究，主要研究?jī)?nèi)容包括：
　　 (1)回顧了電磁感應(yīng)加熱、趨膚效應(yīng)、熱傳導(dǎo)等理論基礎(chǔ)，在此基礎(chǔ)上對(duì)感應(yīng)加熱應(yīng)用于MEMS圓片級(jí)封裝進(jìn)行了理論分析，提出實(shí)現(xiàn)感應(yīng)局部加熱封裝的方

2、法。
　　 (2)系統(tǒng)研究了感應(yīng)加熱封裝設(shè)備，具體分析了各部分的設(shè)計(jì)依據(jù)和設(shè)計(jì)方法，并制作了射頻感應(yīng)加熱封裝樣機(jī)。
　　 (3)研究了圓片級(jí)鍵合圖形制作工藝，通過電鍍腐蝕工藝和電鍍刻蝕工藝，在玻璃、硅襯底上制備了圓片級(jí)鍵合層金屬圖形樣品，鍵合層厚度可達(dá)90微米。對(duì)樣品進(jìn)行射頻感應(yīng)圓片級(jí)封裝(f=13.56MHz)，當(dāng)加熱時(shí)間為15s左右時(shí)，基本實(shí)現(xiàn)了1寸玻璃襯底上金屬圖形的均勻加熱與鍵合，從而驗(yàn)證了感應(yīng)局部加熱封裝的可行