200V SOI深槽隔離結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)和可靠性研究.pdf

1、SOI基掃描驅(qū)動(dòng)芯片是PDP顯示器發(fā)光顯示的核心芯片,其性能直接決定著圖像顯示的質(zhì)量。由于SOI基掃描驅(qū)動(dòng)芯片是一款基于SOI材料上的多路高、低壓集成芯片,因而芯片內(nèi)部的高、低壓器件之間必須采用隔離結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)電氣隔離。而深槽隔離結(jié)構(gòu)因其優(yōu)越的隔離性能,成為SOI基掃描驅(qū)動(dòng)芯片的最佳隔離結(jié)構(gòu)。本文將重點(diǎn)研究深槽的結(jié)構(gòu)、工藝和可靠性,這對(duì)提高SOI基掃描驅(qū)動(dòng)芯片的隔離性能具有重要意義。
　　 本文首先根據(jù)電荷守恒定律,得到了SOI深槽

2、結(jié)構(gòu)的耐壓模型和壓降不均衡性；基于該耐壓模型,設(shè)計(jì)了溝槽縱橫比、槽間距等關(guān)鍵結(jié)構(gòu)參數(shù)；建立并優(yōu)化了200V SOI深槽的工藝流程,借助Sentaurus仿真工具模擬了深槽結(jié)構(gòu)的工藝流程和耐壓特性；然后基于0.5μm200V SOI工藝進(jìn)行了流片實(shí)驗(yàn)。模擬結(jié)果表明:各個(gè)隔離氧化層均承擔(dān)電壓,但高壓側(cè)隔離氧化層內(nèi)電場(chǎng)強(qiáng)度偏大,呈現(xiàn)壓降不均衡性。由實(shí)際測(cè)試結(jié)果可知:優(yōu)化的工藝流程使單槽的臨界擊穿電壓達(dá)到205V,提高了約10.6％；并且深槽結(jié)