Sm-Co薄膜和磁性-非磁性-磁性三層膜陣列的制備與表征.pdf

1、Sm-Co薄膜具有優(yōu)異的磁學(xué)性質(zhì)，在超高密度磁存儲(chǔ)記錄介質(zhì)和微電機(jī)系統(tǒng)中有重要應(yīng)用價(jià)值;磁性/非磁性/磁性自旋閥結(jié)構(gòu)由于其巨磁電阻效應(yīng)，在信息存儲(chǔ)和處理及微波通信領(lǐng)域也具有重要的應(yīng)用價(jià)值。針對(duì)以上兩個(gè)方面，本論文采用電化學(xué)方法分別在Si/Ti/Cu和氧化鋁(AnodicAluminum Oxide，AAO)模板中制備了Sm-Co薄膜及贗自旋閥結(jié)構(gòu)陣列，主要研究內(nèi)容如下:
　　(1)利用循環(huán)伏安法研究了電解液在Pt電極上的電化學(xué)行為

2、，從理論上分析了甘氨酸對(duì)電沉積Sm-Co合金膜的影響;研究了沉積電位、電解液溫度、Sm3+/Co2+摩爾比對(duì)Sm-Co膜的成分及表面形貌的影響。發(fā)現(xiàn)，[CoⅡSmⅢ(Gly-)2(HGly±)]3+的形成有利于在相對(duì)低電勢下Sm、Co的共沉積;合金膜中Sm含量隨沉積電位的負(fù)移先增加，后減小，在-1.85V附近達(dá)到最大值;峰值電位與Sm3+與Co2+的共沉積電位一致，與電解液溫度、Sm3+/Co2+摩爾比基本無關(guān);合金膜的表面形貌與Sm含

3、量有密切關(guān)系。
　　(2)研究了退火處理對(duì)合金膜表面形貌、晶體結(jié)構(gòu)及磁學(xué)性能的影響。退火前合金膜表面稀松，伴有針孔狀結(jié)構(gòu)，經(jīng)過退火處理后，合金膜表面變得致密，表面形成明顯的顆粒;合金膜由非晶態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑B(tài)結(jié)構(gòu)，有Sm2Co17永磁相形成，合金膜的相成分與合金膜中Sm含量有重要關(guān)系;鍍態(tài)合金膜的矯頑力較小，經(jīng)過退火處理后，合金膜的矯頑力得到明顯增加。
　　(3)采用二次陽極氧化法制備了高度有序的多孔氧化鋁模板，采用恒電位技術(shù)在