層狀磁電復(fù)合材料的磁電容效應(yīng).pdf

1、學(xué)位論文獨創(chuàng)性聲明本人鄭重聲明：所提交的學(xué)位論文是本人在導(dǎo)師指導(dǎo)下進行的研究工作和取得的研究成果。本論文中除引文外，所有實驗、數(shù)據(jù)和有關(guān)材料均是真實的。本論文中除引文和致謝的內(nèi)容外，不包含其他人或其它機構(gòu)已經(jīng)發(fā)表或撰寫過的研究成果。其他同志對本研究所做的貢獻均已在論文中作了聲明并表示了謝意。學(xué)位論文作者簽名：確V姍日期：如，『j≯占學(xué)位論文使用授權(quán)聲明研究生在校攻讀學(xué)位期間論文工作的知識產(chǎn)權(quán)單位屬南京師范大學(xué)。學(xué)校有權(quán)保存本學(xué)位論文的電

2、子和紙質(zhì)文檔，可以借閱或上網(wǎng)公布本學(xué)位論文的部分或全部內(nèi)容，可以采用影印、復(fù)印等手段保存、匯編本學(xué)位論文。學(xué)?？梢韵驀矣嘘P(guān)機關(guān)或機構(gòu)送交論文的電子和紙質(zhì)文檔，允許論文被查閱和借閱。(保密論文在解密后遵守此規(guī)定)保密論文注釋：本學(xué)位論文屬于保密論文，保密期限為年。學(xué)位論文作者簽名：存之I虱指導(dǎo)教師簽名：曼駕b日期：矽f『易日期：zo『1r、乙7k■婚摘要摘要磁電容(magnetocapacitance，簡記為MC)效應(yīng)，即材料在外磁場的

3、作用下電容或者介電常數(shù)發(fā)生變化的現(xiàn)象。磁電容效應(yīng)在磁場探測、智能濾波、磁存儲中具有重要的應(yīng)用價值。對于單相磁電材料，由于磁電容效應(yīng)大都在低溫條件下產(chǎn)生，使得單相材料并沒有獲得實際技術(shù)上的應(yīng)用。開發(fā)和研究具有室溫下強磁電容效應(yīng)的復(fù)合材料成為材料科學(xué)研究領(lǐng)域廣泛關(guān)注的熱點之一。由于層狀復(fù)合材料結(jié)構(gòu)簡單，易于制備，壓電相與磁致伸縮相之間沒有相互稀釋混雜，能獲得理想的磁電容效應(yīng)，因而有著廣泛的應(yīng)用。本文對三明治復(fù)合材料TbxDylxFe2y／P

4、b(Zr，Ti)03／TbxDylxFeh的磁電容效應(yīng)進行了研究。結(jié)果顯示：由于磁一力一電耦合機制，該復(fù)合材料在偏置磁場1600Oe、諧振頻率4615kHz和16000kHz處，產(chǎn)生較大負磁電容，分別可達65％和85％，在非諧振頻率處負磁電容僅為5％。此外，我們對該復(fù)合材料的諧振頻率隨磁場變化的工作特性進行了研究，發(fā)現(xiàn)該復(fù)合材料的電容隨頻率的增加而出現(xiàn)多個諧振峰，并且其諧振點會隨磁場的變化而發(fā)生頻移。理論上基于磁致伸縮相與壓電相的本構(gòu)方