AlN-FeGaB磁電復合材料的制備與性能研究.pdf

1、磁致伸縮材料與壓電材料復合而成的磁電復合材料能夠?qū)崿F(xiàn)磁場-電場能量的雙向轉(zhuǎn)換，具有顯著的磁電耦合效應，在微波領域、高壓輸電線路的電流測量、寬波段磁探測、磁電感應器及磁場信號等領域有著廣泛而重要的應用前景。為了有效的利用這種磁電效應制備出具有優(yōu)良性能的磁電傳感器，需要研究影響磁電耦合效應的因素。磁電復合材料的磁電耦合效應大小很大程度上取決于其磁致伸縮材料和壓電材料的性能。
　　本文選用AlN作為壓電材料，F(xiàn)eGaB作為磁致伸縮材料，

2、分別研究了實驗工藝條件對壓電相和磁致伸縮相性能的影響。主要研究工作如下:
　　采用磁控濺射的方法制備了壓電材料AlN薄膜，研究了濺射功率、氣氛壓強、氮氣和氬氣的體積比、襯底溫度和退火處理這五個工藝參數(shù)對薄膜性能的影響。經(jīng)實驗研究發(fā)現(xiàn)當濺射功率為200 W、濺射氣壓為3.75 mT、氮氣和氬氣體積比為3∶7、襯底溫度為300℃和在氮氣氛圍條件下進行500℃退火處理的時候，AlN薄膜沿c軸擇優(yōu)生長，此時薄膜具有優(yōu)良的壓電性能。