新型三維100V LDMOS器件設(shè)計.pdf

1、高壓LDMOS（Lateral Double-diffused MOSFET）是高壓集成電路HVIC（High Voltage IntegratedCircuit）和功率集成電路PIC（PoWer Integrated Circuit）的核心器件。LDMOS器件的擊穿電壓和導(dǎo)通電阻是一對矛盾體，一直是眾多學(xué)者研究的熱點。為此人們提出了基于橫向超結(jié)理論的三維RESURFLDMOS器件，但應(yīng)用在低阻襯底上的三維RESURF LDMOS會產(chǎn)生

2、所謂“襯底輔助耗盡”效應(yīng)，導(dǎo)致?lián)舸╇妷合陆?，這一效應(yīng)的存在限制了三維RESURF LDMOS的性能提高。
　　 本論文設(shè)計了一種兼容低壓CMOS工藝的新型100V體硅三維RESURF LDMOS器件。首先對三維 RESURF的原理進行了分析和總結(jié)；然后，提出了新型的部分帶Nbuffer層的三維RESURFLDMOS器件結(jié)構(gòu)，并對其主要結(jié)構(gòu)、工藝參數(shù)進行了理論計算，重點考慮了襯底輔助耗盡效應(yīng)對器件特性的影響；最后是借助半導(dǎo)體模擬軟