中溫回復(fù)下疲勞銅單晶體駐留滑移帶的演變.pdf

1、該文研究采用的銅單晶體取向?yàn)閇5 48],為單滑移取向.經(jīng)恒塑性應(yīng)變幅控制的對(duì)稱拉—壓疲勞實(shí)驗(yàn)后,試樣內(nèi)部形成PSB梯狀結(jié)構(gòu).隨之,對(duì)疲勞試樣進(jìn)行不同溫度,時(shí)間中溫回復(fù)處理,發(fā)現(xiàn)PSBs平均寬度減小,并在一定溫度和時(shí)間條件下,PSB和脈絡(luò)結(jié)構(gòu)可完全消失.討論了熱處理過程中由于空位濃度差異所引起的滲透力促使位錯(cuò)運(yùn)動(dòng);同時(shí)也討論了林位錯(cuò)等阻礙力對(duì)位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)的影響.分析表明:熱激活下,位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)通過空位放出和湮滅而實(shí)現(xiàn)的,從而使位錯(cuò)密度不斷降低并

2、使PSB細(xì)化以至消失.利用掃描電子顯微鏡(SEM)電子通道襯度(ECC)技術(shù)觀察疲勞過程中駐留滑移帶結(jié)構(gòu)的形成和發(fā)展.對(duì)[123]取向的銅單晶體的研究表明:銅單晶體在疲勞過程中首先出現(xiàn)基體位錯(cuò)墻,然后形成駐留滑移線(PSL)結(jié)構(gòu),經(jīng)過不長的循環(huán)周次,PSB萌芽沿著PSL形成一個(gè)中間長,兩頭短的橢圓梯狀位錯(cuò)墻結(jié)構(gòu).隨著循環(huán)周次的增加,PSB萌芽沿著PSL向兩頭長大,最后形成完整的梯狀PSB結(jié)構(gòu).在中溫回復(fù)過程中,完整的PSB梯狀結(jié)構(gòu)出現(xiàn)彎