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1、河北工業(yè)大學(xué)碩士學(xué)位論文富磷條件下生長(zhǎng)的InP單晶體材料特性研究姓名:高海鳳申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別:碩士專業(yè):微電子學(xué)與固體電子學(xué)指導(dǎo)教師:楊瑞霞201103富磷條件下生長(zhǎng)的InP單晶體材料特性研究iiSTUDYSTUDYSTUDYSTUDYONONONONTHETHETHETHEACTERISTICSACTERISTICSACTERISTICSACTERISTICSOFOFOFOFPRICHPRICHPRICHPRICHINPINPINPINP
2、SINGLESINGLESINGLESINGLECRYSTALCRYSTALCRYSTALCRYSTALABSTRACTABSTRACTABSTRACTABSTRACTInPcrystalhasalreadybecomeapromisingmaterialinthefieldsofmicroelectronicsoptoelectronicssinceitpossessesmanygoodfeatures.Semiinsulating(
3、SI)InPwithgoodactershasbeenwidelyusedtomanufacturehighfrequencyHEMTsHBTsOEICs.FedopingSIInPisgenerallyusedincommercialfieldatthepresenttimeSIInPcanalsobegotthroughannealingundopedInP.IthasbeenshownthatPrichInPcangetSIact
4、eristicmeeasilybyannealing.ButthepreparationofPrichInPisstillnotmatureuptonowtherearemanyimperfectionsonthewaferssuchassmallholesdislocationsdefectswhichaffecttheapplicationsofPrichInPseverely.TheacteristicsofPrichInPcry
5、stalwasstudiedbyPhotoluminescenceMapping(PL)XrayDiffraction(XRD)EnergyDispersiveSpectrometer(EDS)inthispaper.ThesampleusedwaspreparedbythemethodofPinjectioninsitusynthesisliquidencapsulatedCzochralski(LEC).PLMappingmeasu
6、rementsshowedthatthephotoluminescenceacteristicsofPrichInPwaferwasununifm.InthecenteredgeofthewaferthewavelengthofPLpeakwasshtertheintensityofPLpeakwasmuchlowertheFWHMofPLpeakwasmuchbiggercomparedtootherpartsofthewafer.T
7、heresultsrevealedthatthesepartsmighthavewsecrystallizationqualitymedefectssuchasVInPInPiVInH4.XRDmeasurementsshowedthattheedgeofthewaferwithmeholesonithadlargerlatticeconstantlargerdiffractionpeakFWHMcomparedtootherparts
8、.Sotheedgeofthewaferhadpocrystallizationquality.EDSmeasurementsshowedthatthedistributionofthecontentofPatomsInatomswasalsoununifm.OntheedgearoundtheholesofthewaferthecontentofPatomswasmuchhigher.Thepounifmityofthecontent
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