原電池法制備硅納米線的研究.pdf

1、硅納米線是目前一種比較新型的一維半導(dǎo)體納米材料,由于其自身的電、光學(xué)等特性引起了科學(xué)界眾多研究者的廣泛關(guān)注。電鏡、拉曼光譜、能量色散X射線分析(EDS)等方法都是有效地表征硅納米線的手段。近年來硅納米線在合成其他納米材料的模板方面及高性能場效應(yīng)晶體管、場發(fā)射顯示器等許多納米器件的應(yīng)用方面的研究已經(jīng)取得了顯著成果,使得硅納米線可能成為納米電子學(xué)領(lǐng)域的一種非常有潛力的材料。
　　 本文采用的是原電池兩步法制備硅納米線,這是一種在前人

2、的基礎(chǔ)上采用的較新的方法。與其他方法相比,原電池兩步法不需要外接電源,操作簡單,對環(huán)境要求不高,并且成本較低,刻蝕速度快,附著較容易。本文研究了兩步法制得的樣品的形貌結(jié)構(gòu),對它的光致發(fā)光現(xiàn)象進行了分析。并且文中還嘗試采用鉑硅原電池法、鎳硅原電池法和光照法制備硅納米線,與兩步法制成的樣品進行簡單的比較。并且對不同濃度刻蝕液做出的樣品形態(tài)作了簡單觀察,分析了這些因素對實驗的影響。如果刻蝕的時間足夠長,硅基會被穿透,并且最終被完全溶解。將制得