恒增益恒功耗CMOS低噪聲放大器的優(yōu)化設(shè)計(jì)方法研究.pdf

1、低噪聲放大器(LNA)位于射頻接收前端的第一級(jí)，它的噪聲特性將大大影響整個(gè)射頻接收系統(tǒng)的噪聲性能。然而已有的LNA噪聲優(yōu)化方法中沒有考慮柵極寄生電阻產(chǎn)生的熱噪聲對(duì)LNA噪聲性能的影響，因此，本文主要研究當(dāng)考慮柵極寄生電阻和柵-源額外電容時(shí)，共源共柵源極電感負(fù)反饋CMOS LNA的噪聲系數(shù)優(yōu)化方法。
　　 本文通過分析LNA的結(jié)構(gòu)，基于LNA的噪聲性能及CMOS工藝的考量，選擇了共源共柵源極電感負(fù)反饋結(jié)構(gòu)作為LNA的基本結(jié)構(gòu)，然后

2、根據(jù)噪聲理論，建立其高頻小信號(hào)等效噪聲電路模型，最后對(duì)小信號(hào)模型進(jìn)行分析，利用二端口噪聲理論，推導(dǎo)出噪聲系數(shù)的統(tǒng)一數(shù)學(xué)表達(dá)式。
　　 在恒增益、恒功耗以及恒增益恒功耗下對(duì)LNA的噪聲系數(shù)進(jìn)行優(yōu)化，并且與以前提出的方法進(jìn)行比較，最后在ADS中搭建小信號(hào)電路，對(duì)噪聲系數(shù)的三種優(yōu)化方法進(jìn)行驗(yàn)證仿真。
　　 本文完成了基于恒功耗下的2.4GHz0.18um CMOS LNA的電路設(shè)計(jì)，采用ADS進(jìn)行仿真。仿真結(jié)果為：S11=-2