硅基應變材料的性能表征研究.pdf

1、論文工作來源于國家重點項目“硅基應變超高速集成器件及相關(guān)基礎(chǔ)研究”,是學科研究的前沿。
　　 自二十世紀九十年代中后期以來,大量研究表明,合理引入應變可顯著改善器件性能,硅基應變新技術(shù)開始成為二十一世紀微電子發(fā)展的一項主流技術(shù)。本論文的目的是研究準確表征硅基應變材料的有效方法,實現(xiàn)材料質(zhì)量和性能的科學測量與表征。
　　 論文以傳統(tǒng)的硅材料表征技術(shù)為基礎(chǔ),結(jié)合硅基應變材料的特點,系統(tǒng)研究了硅基應變材料的應變度、弛豫度、鍺組

2、分及分布、晶格常數(shù)、厚度、表面粗糙度、缺陷行為等材料特性的表征方法與技術(shù),并進行了相關(guān)表征測試分析實驗。
　　 基于拉曼(Raman)光譜的測試原理,論文闡述了硅基應變材料的應力、應變、Ge組分等材料參數(shù)的Raman表征方法與技術(shù),研究分析了硅基應變與弛豫材料應變度ε和Ge組分x與Raman光譜頻移ω的關(guān)系。將該關(guān)系與參考文獻中結(jié)果進行了驗證,符合較好。
　　 基于高分辨X射線衍射法(HRXRD)的原理與特點,論文闡述了

3、硅基應變材料晶格常數(shù)、Ge組分、應力、薄膜厚度等材料參數(shù)的HRXRD表征方法與技術(shù)。進行了硅基應變材料HRXRD的測試實驗,進行了結(jié)果分析。
　　 基于透射電子顯微鏡(TEM)的測試原理,論文研究分析了硅基應變材料缺陷行為的 TEM表征方法與技術(shù)。研究分析了硅基應變材料TEM樣品的制作方法與技術(shù),進行了硅基應變材料TEM樣品的測試分析與結(jié)果分析。
　　 基于原子力顯微鏡(AFM)的測試原理,研究了硅基應變材料表面粗糙度的