2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
已閱讀1頁,還剩69頁未讀 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、基于碳化硅材料的結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管(SiC-JBS)因其良好的散熱特性、較高的擊穿電壓及較低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)點(diǎn),已經(jīng)在大功率整流、逆變續(xù)流以及功率因數(shù)校正(PFC)等系統(tǒng)中得到應(yīng)用。然而,大電流、高壓、感性負(fù)載及高開關(guān)速度的系統(tǒng)應(yīng)用條件也對(duì)SiC-JBS器件的可靠性提出了很大挑戰(zhàn)。因此,迫切需要對(duì)SiC-JBS器件面臨的各種可靠性問題的內(nèi)在機(jī)理及相關(guān)壽命模型展開深入研究,以指導(dǎo)高可靠性碳化硅器件及相關(guān)應(yīng)用系統(tǒng)的設(shè)計(jì)。
  本文旨在研

2、究600V SiC-JBS器件在正向大電流應(yīng)力、關(guān)態(tài)灌電流應(yīng)力和高dV/dt應(yīng)力條件下,器件的退化機(jī)理及壽命模型。首先通過仿真分析,研究了正向大電流下SiC-JBS器件電學(xué)參數(shù)退化的內(nèi)在機(jī)理,主要的損傷機(jī)理表現(xiàn)為肖特基接觸面附近產(chǎn)生層錯(cuò)等缺陷;接著,通過仿真和實(shí)測(cè)分析,分別研究了關(guān)態(tài)灌電流應(yīng)力條件下SiC-JBS器件電學(xué)參數(shù)退化和雪崩損傷的內(nèi)在機(jī)理,第一種損傷機(jī)理為器件有源區(qū)產(chǎn)生堆疊層錯(cuò),而第二種損傷機(jī)理表現(xiàn)為器件表面結(jié)終端附近氧化層存

3、在熱載流子的注入;最后,仿真分析了高dV/dt應(yīng)力條件下SiC-JBS器件電學(xué)參數(shù)退化的內(nèi)在機(jī)理,損傷機(jī)理同樣表現(xiàn)為熱載流子的注入?;谏鲜鰴C(jī)理研究結(jié)果,論文給出了SiC-JBS器件壽命模型的建模思路與建模方法,并建立了該器件在不同退化機(jī)理下導(dǎo)通壓降(VF)和擊穿電壓(BV)的退化壽命預(yù)測(cè)模型。
  模型驗(yàn)證結(jié)果顯示,在一定的應(yīng)力范圍內(nèi),該模型能夠較好地預(yù)測(cè)VF和BV的退化趨勢(shì)。本文的退化機(jī)理和模型研究結(jié)果可為碳化硅功率器件的可靠

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論