2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁(yè)
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1、碳化硅(SiC)材料具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)高、介電常數(shù)低、熱穩(wěn)定性好等特點(diǎn),在高頻大功率電子器件以及耐高溫光電器件方面呈現(xiàn)出極大的潛力。隨著探測(cè)技術(shù)的快速發(fā)展,高性能紫外探測(cè)器逐漸成為研究熱點(diǎn)。SiC基肖特基紫外探測(cè)器具有暗電流低、響應(yīng)速度快、易于集成等優(yōu)點(diǎn),在導(dǎo)彈追蹤、火災(zāi)探測(cè)、臭氧層監(jiān)測(cè)、紫外天文學(xué)等軍民兩用領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景,受到廣泛關(guān)注。
  基于已有的碳化硅材料在近紫外波段的吸收系數(shù)和反射系數(shù),結(jié)合多孔碳化硅材料結(jié)

2、構(gòu)特點(diǎn)及其反射特性,計(jì)算擬合得到碳化硅及多孔碳化硅在全紫外波段的光學(xué)參數(shù)折射率和消光系數(shù),解決了材料紫外波段光學(xué)參數(shù)不完備的問題。
  利用TCAD仿真軟件對(duì)碳化硅肖特基紫外探測(cè)器進(jìn)行了仿真研究,仿真了探測(cè)器的紫外光譜響應(yīng)、量子效率、響應(yīng)度、I-V特性、光/暗電流和響應(yīng)時(shí)間等特性。
  普通碳化硅肖特基紫外探測(cè)器的仿真結(jié)果表明:(1)紫外探測(cè)器在峰值290 nm處的量子效率和響應(yīng)度分別為35.70%和83.57 mA/W,而

3、實(shí)驗(yàn)值290 nm處的量子效率在36.14%,響應(yīng)度為84.53 mA/W,仿真結(jié)果基本與實(shí)驗(yàn)值吻合;(2)紫外探測(cè)的暗電流和響應(yīng)時(shí)間分別為8×10-14 A和21 ns,與實(shí)驗(yàn)結(jié)果的數(shù)量級(jí)一致;(3)紫外探測(cè)器響應(yīng)度受外加偏壓、外延層厚度和濃度影響。
  基于多孔碳化硅肖特基紫外探測(cè)器仿真結(jié)果表明:(1)紫外探測(cè)器在峰值290 nm處的量子效率和響應(yīng)度分別為46.64%和108.99 mA/W,與普通碳化硅肖特基紫外探測(cè)器相比,

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