包覆法制備BaTiO-,3-基陶瓷電容器研究.pdf

1、樣品的介電性能較BaTiO<,3>得以明顯的提高,CuO作為一種低共熔物不僅可以提高樣品的致密性,而且由于Cu<'2+>的半徑為0.073nm,與Ti<'4+>的半徑為0.061nm比較接近,可能受主取代Ti<'4+>,產(chǎn)生大量的氧空位,在晶界處偏聚,空間電荷程度增加,極化作用增強(qiáng),從而使得樣品的介電性能大大改善.B<,2>O<,3>、MnO<,2>可以在一定程度上促進(jìn)晶粒長(zhǎng)大,有利于介電常數(shù)提高,含有B<,2>O<,3>和MgO(0.

2、5﹪wt)的樣品的最大介電常數(shù)超過(guò)7.3×10<'4>,介質(zhì)損耗也明顯降低.Cr<,2>O><,3>和MnO<,2>可以兼起"施主"和"受主"的作用,在很多地方有相似之處,它們的加入可以改善直流偏壓的穩(wěn)定性和介電常數(shù)的溫度穩(wěn)定性,被稱為"穩(wěn)定性"元素.在n型半導(dǎo)體中由于Cr<'3+>的半徑(0.062nm)與Ti得半徑0.061nm非常接近,很有可能受主取代Ti<'4+>,可動(dòng)電子數(shù)目減少,介質(zhì)損耗和介電常數(shù)降低;但是過(guò)量的Cr會(huì)偏聚在

3、晶界處,甚至形成一層氧化物層,降低樣品的電絕緣性能,使得介質(zhì)損耗增加.介溫(K-T)譜曲線中,隨著頻率的增加(0.1KHz-1MHz)峰值向著高溫區(qū)移動(dòng),同時(shí)雙峰現(xiàn)象消失,高頻下介質(zhì)損耗的變化不大;在相變點(diǎn)T<,c>附近,介電常數(shù)具有最大值,相應(yīng)的介質(zhì)損耗卻最小.綜上所述,通過(guò)液相包覆技術(shù)可以得到結(jié)構(gòu)良好的"芯-殼"狀的復(fù)合粉體,有利提高樣品的致密性和介電性能;采用低溫?zé)杉夹g(shù)可以明顯降低燒結(jié)溫度,實(shí)現(xiàn)中低溫?zé)Y(jié);與傳統(tǒng)材料相比介電常數(shù)