晶體管輸出型光電耦合器輻照及其噪聲研究.pdf

1、隨著航天技術、核能技術及其核武器等高新技術的發(fā)展需求，越來越多的光電子器件需要正常工作于輻照環(huán)境中。輻照在器件中引入大量的氧化層電荷、界面態(tài)電荷及體內位錯等缺陷，導致電參數(shù)退化，從而引起器件暫時失效或永久性失效。因此為保障器件在輻照環(huán)境中能正常工作，必須研究器件的輻照損傷機理，研究不同輻照環(huán)境中器件的損傷程度并對器件的抗輻照能力進行預先評估及診斷。目前，器件抗輻照評估方法是輻射退火篩選，這種方法周期長，經(jīng)費高，不可能做大量樣品的破壞性輻

2、照實驗，更重要的是它不僅不能保證所有的被輻照的器件經(jīng)過退火后都能夠恢復其初始性能，還有可能在被測器件中引入新的潛在缺陷，使器件的可靠性降低。這迫切要求一種簡單、快速且完全非破壞性的輻射篩選和抗輻射能力評估技術。
　　 光電耦合器以其體積小、壽命長、無觸點、抗干擾性強等優(yōu)點廣泛地應用于航空航天及核技術等領域，因此急需研究光電耦合器在輻照環(huán)境中的失效機理及抗輻照評估方法。輻照在光電耦合器件內部引入缺陷，而噪聲與器件的內部缺陷密切相關

3、。所以，借助光電耦合器的噪聲理論來研究光電耦合器的輻照損傷理論是可行的。
　　 本文系統(tǒng)地研究了晶體管輸出型光電耦合器的輻照效應，損傷機理及其評估方法。針對晶體管輸出型光電耦合器的結構組成，詳細闡述了其噪聲理論、輻照機理和輻照效應，建立了光電耦合器的輻照噪聲測試系統(tǒng)。詳細介紹了光電耦合器的電離總劑量輻照特性和中子注量輻照特性，選用（）源進行總劑量電離輻照，首次建立了總劑量輻照下的光電耦合器的電流傳輸比模型和噪聲模型，在反應堆上進