槽型功率晶體管的設(shè)計.pdf

1、功率晶體管有良好的電流放大能力和制造簡單性等優(yōu)點，目前廣泛應(yīng)用于民用和航天設(shè)備等。如何提高功率晶體管的耐壓和工作電壓，擴(kuò)展應(yīng)用范圍是科研院所和生產(chǎn)單位一直努力的方向。文中通過槽隔離技術(shù)，獲得了耐壓大于200V的功率晶體管，終端的版圖面積比結(jié)終端技術(shù)小5倍。 本論文課題來源于某航天合作研究項目：研制一種大功率、高可靠的功率晶體管，滿足合作單位對該種功率晶體管的應(yīng)用需求。論文的主要工作包括：隔離結(jié)構(gòu)分析；槽型結(jié)構(gòu)達(dá)林頓功率晶體管設(shè)計

2、的理論分析；槽型達(dá)林頓功率晶體管的工藝與器件計算機(jī)仿真；槽型達(dá)林頓晶體管的版圖設(shè)計、工藝實現(xiàn)以及試驗樣管的測試分析。 論文首先分析了不同的隔離和終端技術(shù)，選定槽作為功率晶體管的終端，分析了功率晶體管和槽型功率晶體管的特性，然后借助仿真器，仿真分析了不同的槽深、槽寬以及氧化層厚度對器件耐壓的影響，結(jié)果表明：隨著槽的深度增大，耐壓提高；槽的寬度對耐壓的影響??；過厚的氧化層使層內(nèi)電場急劇增大，因此不宜采用過厚的氧化層。最后對所設(shè)計的器