微波多點(diǎn)頻高次倍頻低相噪本振源研究.pdf

1、頻率源是決定電子系統(tǒng)性能的關(guān)鍵部分，隨著國防、航空航天和無線通信技術(shù)的發(fā)展，電子系統(tǒng)對頻率源的相位噪聲，雜散，分辨率以及變頻速度等性能的要求也越來越高，高性能頻率源成為現(xiàn)在研究的熱點(diǎn)。
　　本文設(shè)計(jì)的微波多點(diǎn)頻高次倍頻低相噪本振源是一個(gè)寬帶低相噪低雜散高性能頻率源的關(guān)鍵部件之一，包括L波段和C波段兩部分，用在鎖相環(huán)回路中兩級下變頻，實(shí)現(xiàn)寬頻帶和超低相位噪聲。本文首先介紹了幾種常用的頻率合成技術(shù)，比較分析各種方法的特點(diǎn)，根據(jù)指標(biāo)要求

2、確定實(shí)現(xiàn)方案。L波段多點(diǎn)頻本振源采用提取放大器的諧波的方式實(shí)現(xiàn)，而C波段多點(diǎn)頻本振源則是由梳狀譜發(fā)生器實(shí)現(xiàn)。倍頻電路中本文詳細(xì)介紹了梳狀譜發(fā)生器的設(shè)計(jì)，對影響梳狀譜發(fā)生器性能的各因素進(jìn)行仿真分析，選頻放大電路中詳細(xì)介紹了SIR濾波器的設(shè)計(jì)和消除放大器自激的方法。由于這兩個(gè)模塊用在鎖相環(huán)路中，雜散都將被環(huán)路濾波器濾除，因此對雜散抑制要求不高，本文設(shè)計(jì)的兩個(gè)倍頻源的關(guān)鍵指標(biāo)是相位噪聲。
　　測試結(jié)果顯示L波段倍頻源的輸出功率為13dB