基于白光干涉技術(shù)的膜材料應(yīng)變行為測(cè)試方法研究.pdf_第1頁(yè)
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1、微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的快速發(fā)展為力學(xué)的發(fā)展提供了良好的契機(jī),并為其研究的進(jìn)展提供了發(fā)展的機(jī)遇。由于 MEMS在封裝過(guò)程中所出現(xiàn)的力學(xué)問(wèn)題主要是因?yàn)椴牧系葰堄鄳?yīng)力引起的,因而對(duì)其應(yīng)力應(yīng)變的測(cè)試將是MEMS產(chǎn)品在封裝過(guò)程中能否可靠和穩(wěn)定的決定因素。因此本文通過(guò)對(duì)應(yīng)變測(cè)試的研究,同時(shí)考慮尺度效應(yīng)對(duì)微結(jié)構(gòu)的影響,建立微結(jié)構(gòu)測(cè)試的力學(xué)模型,為微結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)提供可靠的依據(jù),從而加速 MEMS技術(shù)和應(yīng)用的發(fā)展,加快其市場(chǎng)化的進(jìn)程,更好的為人類服務(wù)。具

2、體的研究結(jié)果如下:
  1、通過(guò)分析傳統(tǒng)的白光垂直掃描算法(VSI)和相移干涉算法(PSI)的優(yōu)缺點(diǎn),并分析現(xiàn)有的白光垂直掃描和相移干涉相結(jié)合的算法的原理,提出了適用與本論文研究課題的算法(Stoilov算法),該算法可以對(duì)測(cè)試系統(tǒng)所固有的二階、三階非線性誤差產(chǎn)生非常好的抑制作用,并且該算法還可以根據(jù)測(cè)試要求的需要任意地選取測(cè)試步徑的相移值,提高測(cè)試的精度,同時(shí)該算法的可以達(dá)到百納米的縱向分辨率。
  2、對(duì)應(yīng)變測(cè)試進(jìn)行了數(shù)

3、學(xué)建模,從理論上分析了應(yīng)變測(cè)試的可行性,然后通過(guò)POLYTEC微系統(tǒng)分析儀對(duì)未加載電壓的PZT薄膜和加載不同電壓的PZT薄膜進(jìn)行了測(cè)試,標(biāo)定出了不同電壓下的應(yīng)變效果值。最后通過(guò)Linnik干涉儀對(duì)PZT薄膜進(jìn)行測(cè)試,用本論文所提出的應(yīng)變算法進(jìn)行三維形貌的解算來(lái)驗(yàn)證本算法的精度,以此來(lái)說(shuō)明本論文所提出的應(yīng)變測(cè)試的可行性。通過(guò)Linnik干涉儀同時(shí)結(jié)合本論中提出的應(yīng)變算法,可以實(shí)現(xiàn)對(duì)PZT薄膜應(yīng)變分布的測(cè)試。彌補(bǔ)由于POLYTEC微系統(tǒng)分析

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