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文檔簡介
1、Trench MOSFET是基于平面型 MOSFET發(fā)展起來的半導體功率器件,和平面型的MOSFET相比,Trench MOSFET擁有更低的導通電阻、更大的導通電流以及更快的開關速度,在電動車無刷電機應用市場中占有一席之地。并且因為Trench MOSFET的溝道是垂直方向的,所以能進一步的提高它的溝道密度,減小芯片尺寸。
對于Trench MOSFET來講,有兩個關鍵的參數(shù):擊穿電壓和導通電阻。擊穿電壓體現(xiàn)了器件的阻斷能力
2、,而導通電阻則體現(xiàn)了器件的導通能力。器件導通電阻與芯片的面積是反比的關系,導通電阻的優(yōu)化,可以帶來通態(tài)功耗的降低,能源的節(jié)約,但在優(yōu)化的時候,往往伴隨著擊穿電壓的降低。本文的目的是介紹一種低導通電阻60V Trench MOSFET的設計與制造,設計目標是擊穿電壓保持的情況下,導通電阻相比同類產(chǎn)品能夠降低10%,從而提高產(chǎn)品的競爭力。
本文主要分為三大部分,第一部分是理論知識與背景研究,第二部分則是器件的設計,最后一部分介紹了
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