硒化銦(In2Se3)納米線的合成及相變機理和光敏性能研究.pdf

1、一維相變納米材料為在納米尺度研究相變過程和材料熱性能提供了一個良好的科學平臺,同時也是下一代高存儲密度相變存儲器的關鍵材料。一維相變納米線在相變存儲器上的應用正在被廣泛的研究,In2Se3納米線作為一種重要的非易失性存儲材料,它有著很高的電阻率,105的電阻轉變率,在數(shù)據(jù)存儲上,可以有比GeTe和Ge2Sb2Te5納米線更低的能耗,此外它有用作在太陽能電池,光傳感器和鋰離子電池方面的巨大潛力。
　　 本文闡述了通過熱氣相沉積法制

2、備α-和κ-In2Se3納米線的合成過程,并通過原位同步輻射XRD研究了In2Se3納米線在熱退火過程中的晶體結構變化。數(shù)據(jù)結果顯示κ-In2Se3納米線在500℃轉變?yōu)棣料?在更高的溫度700℃下轉變?yōu)?-5層狀的高溫α相,并且這種轉變在溫度降低時是不可逆的。并基于密度泛函理論,利用Materials Studio軟件,模擬了不同原子堆積的In2Se3模型結構及衍射數(shù)據(jù),其結果與同步輻射衍射數(shù)據(jù)結果一致。此外,研究還發(fā)現(xiàn),退火前后的納