版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進行舉報或認領(lǐng)
文檔簡介
1、Ⅱ-Ⅵ族和Ⅰ-Ⅵ族金屬硒化物是一類重要的半導(dǎo)體納米材料,其帶隙通常在0.1到3.0 eV之間,可作為各種紅外探測器件、發(fā)光裝置、光催化和光敏傳感材料。而研究指出,金屬硒化物的諸多物理、化學(xué)性能與其內(nèi)在結(jié)構(gòu)密切相關(guān),并常常展現(xiàn)出結(jié)構(gòu)依賴的物理特性。本論文旨在探索研究Ag2Se納米晶相(結(jié)構(gòu))控制合成及其相變規(guī)律,以及利用其高溫超離子導(dǎo)體相催化制備一維ZnSe納米線的生長機理。
納米尺度的一級固-固相變是固態(tài)物理和化學(xué)研究領(lǐng)域的一
2、個重要課題,而對物相依賴的物理、化學(xué)性能的研究也備受關(guān)注。研究中分別采用油胺媒介回流法和PVP協(xié)助的溶劑熱法成功制備出了亞穩(wěn)四方(t) Ag2Se納米晶,進而對比研究了Ag2Se納米晶多型體(即四方(t),正交(β),和立方(α))之間的相變過程及規(guī)律。DSC和變溫的XRD研究結(jié)果表明,通過兩種不同方法合成的t-Ag2Se納米晶在穩(wěn)定性和相轉(zhuǎn)變行為方面存在顯著的差異。油胺回流法制備的t-Ag2Se納米晶表現(xiàn)出對溫度和時間敏感的亞穩(wěn)定性,
3、在DSC熱循環(huán)過程中經(jīng)歷了t→β→α→β相結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變的過程,其中t→β相結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變是一個放熱和不可逆的過程。有趣的是,通過油胺回流法在不同后處理和穩(wěn)定條件下還可以合成β-Ag2Se,此時β→α相變過程是可逆的,其相變行為和其溫度與文獻報道一致。不同的是,PVP協(xié)助的溶劑熱法合成的t-Ag2Se納米晶則較為穩(wěn)定,展現(xiàn)出一個直接的、可逆的t→α相結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變,而沒有經(jīng)過β相結(jié)構(gòu);然而,當(dāng)加熱到更高的溫度時,例如≥250℃,t相結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性和t→
4、α相變的可逆性將會被破壞,此時在DSC循環(huán)中出現(xiàn)t→α→β相變過程。其原因可歸結(jié)于樣品的燒結(jié)和尺寸的增加。研究中我們把亞穩(wěn)四方t相的形成歸因于當(dāng)合成溫度(160-220℃)冷卻到室溫時,Ag2Se發(fā)生α→t相的結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變。此外,我們基于尺寸、形狀(即表面特性)及缺陷對固-固相變熱力學(xué)和動力學(xué)的影響,討論了兩種方法合成的t-Ag2Se納米晶體其穩(wěn)定性和相變行為差異的原因。
立方α-Ag2Se是高溫超離子導(dǎo)體,具有高密度的Ag+離子
5、空位、快速移動的Ag+離子以及剛性的Se2-亞離子格子。本論文基于我們組最近提出的溶液-固體-固體(Solution-Solid-Solid,SSS)納米線催化生長機理,利用高溫超離子導(dǎo)體相Ag2Se納米晶為催化劑,研究一維ZnSe納米線/棒在溶液中的催化生長。在納米線催化生長機理中,催化劑顆粒通常保留在納米線的一端,這可以用來制備一維異質(zhì)結(jié)的納米材料?;谶@一特性和液相催化生長路線,本論文成功合成了由Ag2Se催化劑顆?!邦^部”和Zn
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- Se納米線的制備及其形成機理研究.pdf
- Ag2Se和MoS2納米材料的三階非線性光學(xué)特性研究.pdf
- 硫化鎳納米線、納米晶的制備及其表征.pdf
- CdSe和Ag2Se量子點的生物效應(yīng)研究.pdf
- ZnSe-Si異質(zhì)結(jié)納米線的研究.pdf
- 一維ZNSE納米米線及納米帶的振動特性研究.pdf
- 模板法制備銅納米線及其催化生長納米碳纖維的研究.pdf
- 核殼納米晶ZnSe@CdS(e)和碳納米管-ZnSe@CdSe納米晶異質(zhì)結(jié)的制備及其光學(xué)性質(zhì)研究.pdf
- 基于Ag納米線的多級異質(zhì)組裝體的合成和光催化性能研究.pdf
- Ag納米顆粒表面等離子體增強的ZnSe納米帶光電器件的性能研究.pdf
- 基于TiO-,2-納米晶低溫生長的Ag-TiO-,2-光催化材料制備.pdf
- Bi2Se3納米材料的制備與GaN納米線理論研究.pdf
- 控制納米線生長的研究.pdf
- ag39;zno納米晶的制備、表征及其光催化性能
- 硒化銦(In2Se3)納米線的合成及相變機理和光敏性能研究.pdf
- ZnSe納米線陣列-黑硅異質(zhì)結(jié)的制備及其光電性能研究.pdf
- 納米晶的合成及其光催化的研究
- Zn摻雜p型β-Ga2O3納米線的催化生長及特性研究.pdf
- GaN納米線的CVD生長研究.pdf
- 金屬鎳催化鎢納米線的制備及其生長機理研究.pdf
評論
0/150
提交評論