太陽(yáng)電池用晶體硅的表面鈍化研究.pdf

1、光伏發(fā)電技術(shù)是解決能源危機(jī)的有效途徑之一。晶體硅太陽(yáng)電池占整個(gè)市場(chǎng)份額的80％左右。高效晶體硅太陽(yáng)電池的研制以及晶體硅太陽(yáng)電池的薄片化，使太陽(yáng)電池用晶體硅的表面鈍化變得十分關(guān)鍵。
　　 本文首先提出針對(duì)MIIS結(jié)構(gòu)中，晶體硅表面電學(xué)性質(zhì)的高頻電容研究方法。在此基礎(chǔ)上，對(duì)PE-CVD生長(zhǎng)的原生氮化硅薄膜的鈍化性質(zhì)及薄膜在快速熱處理過(guò)程中的熱穩(wěn)定性進(jìn)行了研究。原生氮化硅薄膜可降低載流子的表面復(fù)合。600℃下快速熱處理，晶體硅表面的少

2、子壽命先升后降。700℃下快速熱處理，氮化硅鈍化膜的熱穩(wěn)定性大幅下降。薄膜的電子俘獲能力隨熱處理溫度的升高和熱處理時(shí)間的增加而下降。相應(yīng)的薄膜中K+中心數(shù)量減少。
　　 ALD-Al2O3在550℃熱處理30秒后，晶體硅表面的少子壽命達(dá)最大值。薄膜與晶體硅界面處的氧化層厚度增加，降低了界面態(tài)密度。此外，隨熱處理溫度的提高，界面電荷由正變負(fù)再變正。隨熱處理時(shí)間的延長(zhǎng)，界面負(fù)電荷面密度先增后減。熱處理溫度越高，開(kāi)始衰減所需時(shí)間越短。