晶體硅太陽(yáng)電池用硅片表面鈍化的研究.pdf_第1頁(yè)
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1、在能源危機(jī)和環(huán)境污染日益嚴(yán)峻的今天，如何高效利用綠色清潔的太陽(yáng)能受到了廣泛關(guān)注和研究，晶體硅太陽(yáng)電池是利用太陽(yáng)能最有效的手段之一。為了降低晶體硅太陽(yáng)電池的制造成本，并提高電池的光電轉(zhuǎn)換效率，對(duì)太陽(yáng)電池表面鈍化技術(shù)的研究具有重要意義。
　　本文首先研究了高壓水蒸汽熱處理對(duì)氫化非晶硅薄膜鈍化效果改善情況。研究發(fā)現(xiàn)，高壓水蒸汽熱處理能明顯改善氫化非晶硅薄膜鈍化效果，而且即使在較低溫度和較短時(shí)間條件下，鈍化效果改善作用仍較明顯。高壓水蒸氣

2、熱處理過(guò)程中進(jìn)入薄膜體內(nèi)的氧原子可以起到調(diào)節(jié)薄膜折射率的作用，使其在a-Si∶H薄膜折射率和SiO2薄膜折射率之間變化。
　　熱硝酸制備的二氧化硅薄膜厚度在2nm左右，薄膜鈍化效果并不好。在20％O2氣氛下對(duì)制備的二氧化硅薄膜樣品進(jìn)行RTP處理可以顯著改善薄膜的鈍化效果，在20％ O2，800℃條件下，RTP處理時(shí)間為45 s時(shí)樣品少子壽命達(dá)到80.06μs的最大值。
　　在100％O2，900℃，180 s條件下，采用RT

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