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文檔簡介
1、隨著等離子體技術(shù)的迅速發(fā)展,低溫低壓等離子體在新型材料制備和等離子體加工領(lǐng)域中地位日趨重要。在利用等離子體化學(xué)氣相沉積(PCVD)技術(shù)制備薄膜中,制備出的薄膜質(zhì)量和特性主要取決于放電產(chǎn)生的等離子體的內(nèi)部狀態(tài),因此診斷其內(nèi)部狀態(tài)參數(shù)對保證真空鍍膜的穩(wěn)定性和可重復(fù)性,優(yōu)化等離子體工藝起著決定性作用。螺旋波等離子體作為最新的低溫氣壓等離子體源,在新型納米材料制備、超大規(guī)模集成電路工藝等方面具有廣泛的應(yīng)用前景。
本文綜合采用Lan
2、gmuir探針法和發(fā)射光譜法對螺旋波誘導(dǎo)的氫等離子體進(jìn)行了原位診斷,研究了部分等離子體參數(shù)隨宏觀實(shí)驗(yàn)參量的變化規(guī)律。
采用自主設(shè)計(jì)的Langmuir掃描探針原位診斷了不同實(shí)驗(yàn)參量下的I-V特性曲線,根據(jù)雙曲正切函數(shù)的指數(shù)變換模型平滑數(shù)據(jù),采用Druyvesteyn方法對數(shù)據(jù)進(jìn)行了分析,得到等離子體參數(shù)電子密度、有效電子溫度和電子能量幾率函數(shù),研究了它們隨實(shí)驗(yàn)參量的變化規(guī)律。
采用發(fā)射光譜法診斷了氫原子的Bal
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