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文檔簡(jiǎn)介
1、異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)是毫米波、微波應(yīng)用領(lǐng)域中最重要的器件之一,其中砷化鎵(GaAs)HBT具有更好的高頻特性、絕緣性能以及更高的電流增益。本文主要對(duì)基于GaAs HBT器件Ka波段的I/Q調(diào)制器進(jìn)行了研究。
首先對(duì)Ka頻段基于吉爾伯特單元混頻器結(jié)構(gòu)的I/Q調(diào)制器完成了簡(jiǎn)單的設(shè)計(jì)以及仿真,其中本振抑制度為27.7dB左右,邊帶抑制度為26.6dB左右。
本文的主要工作,完成了Ka頻段基于GaAs HBT器
2、件的模擬反射型I/Q矢量調(diào)制電路的設(shè)計(jì)以及仿真。其中包括對(duì)冷模HBT器件在不同偏置條件下器件特性的變化、Ka頻段的Lange耦合器、Ka頻段的威爾金森功率分配器以及對(duì)I/Q調(diào)制中的BPSK調(diào)制器和QPSK調(diào)制器都進(jìn)行了詳細(xì)的設(shè)計(jì)和分析。本矢量調(diào)制器的載波抑制大約為25.6dB,邊帶抑制大約為27dB。
本文最后在I/Q矢量調(diào)制電路基礎(chǔ)上進(jìn)一步提出了一種新的電路結(jié)構(gòu),通過(guò)對(duì)原有電路結(jié)構(gòu)的改進(jìn)在不影響電路功能的前提下節(jié)省了大量
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