GaAs基單片集成平衡i-Q矢量調制器研制.pdf

1、隨著現(xiàn)代通信系統(tǒng)的發(fā)展，微波矢量調制器從20世紀80年代開始研究至今，已在各種微波通信中發(fā)揮著越來越重要的作用，目前國外的技術已相當成熟。從本世紀初開始國內開始了該領域的研究工作，并公開報道了一些混合式矢量調制器的文獻報道，單片集成平衡矢量調制器的研制正在起步階段。因此本文的工作具有很強的創(chuàng)新性，主要體現(xiàn)在以下:本文在國內原有的混合基礎上首次應用單片工藝平臺針對性的對單片集成矢量調制器的電路開展研究工作，并設計及做了一定實驗工作。本文在

2、GaAs基片上集成了功分器、耦合器以及有源器件FET，從而實現(xiàn)矢量調制器集成方案。本文是針對目前毫米波頻段相控陣等系統(tǒng)的小型化應用而提出的芯片集成MMIC技術方案，利用國內的GaAs工藝平臺集成電路，實現(xiàn)毫米波頻段的矢量調制器。
　　 本文通過對比各類矢量調制器的特點及其相關工作原理，選擇在GaAsPHEMT異質結材料上采用MMIC技術方案制作單片集成平衡I—Q矢量調制器的方案，工作頻段為30-40GHz。本文將從以下幾個方面進

3、行研究闡述:
　　 1.介紹在各類現(xiàn)代通信系統(tǒng)中矢量調制器發(fā)揮的的作用以及目前國內外對調制器的研究現(xiàn)狀。同時介紹了各種不同種類的調制器的工作原理。
　　 2.詳細論述了平衡I-Q矢量調制器的理論基礎，并介紹了采用單片集成的矢量調制器，并給出仿真結果。
　　 3.利用GaAs工藝平臺在GaAs襯底上實現(xiàn)單片集成平衡I-O矢量調制器，其中控制元件為PHEMT開關管芯。
　　 4.簡單介紹矢量調制器加工工藝，測