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文檔簡介
1、薄膜晶體管(Thin Film Transistor)是由電極、半導(dǎo)體層和絕緣層構(gòu)成的場效應(yīng)器件。它是構(gòu)成液晶顯示器(Liquid Crystal Display)和有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(AMOLED)驅(qū)動電路的核心部件。目前主流液晶屏幕采用的是多晶硅 TFT、非晶硅TFT。但是,多晶硅的制造工藝復(fù)雜,成本高,均一性差,大面積生產(chǎn)困難。而非晶硅的載流子遷移率雖然不是很低,但在制作的精細(xì)化程度上仍然不是很高,這也制約著新一代顯示技術(shù)AM
2、OLED的發(fā)展。近年來寬帶隙氧化物半導(dǎo)體的研究取得了很大進(jìn)展,尤其是透明非晶銦鎵鋅氧化物薄膜晶體管(IGZO-TFT),它在載流子遷移率、透過率、均勻性方面都要優(yōu)于非晶硅,并且可在低溫下生產(chǎn),而且精細(xì)化程度更高。本文重點(diǎn)研究不同電極材料以及退火溫度對器件性能的影響。
本文研究了用溶液法制作的非晶銦鎵鋅氧化物薄膜,晶體管的結(jié)構(gòu)采用了底柵結(jié)構(gòu),最后分別采用了鋁、鈦/金、氧化銦錫和金作為晶體管的源、漏極。在沒有退火的情況下,接觸電阻
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