接觸電阻對有機(jī)場效應(yīng)晶體管性能影響的研究.pdf

1、有機(jī)場效應(yīng)晶體管(OFET)由于具有制備工藝簡單、柔韌性好、適合低溫、成本低和可大面積制造的特點(diǎn)以及在電子器件上有著巨大應(yīng)用潛力而受到廣泛關(guān)注。近年來OFET性能極大提高，幾乎達(dá)到非晶硅的場效應(yīng)晶體管(FET)性能的水平。由于OFET性能的提高，已廣泛應(yīng)用于柔性顯示驅(qū)動、智能卡、識別卡、探測器、電子包裝、電子報紙等領(lǐng)域。通常，在OFET中源漏電極與有機(jī)半導(dǎo)體層之間的存在著接觸電阻，影響著器件的性能。為了改善OFET性能以及使器件更廣泛的

2、得到應(yīng)用，開展在金屬電極與有機(jī)半導(dǎo)體層之間插入金屬氧化物以提高器件性能研究，并引用理論模型指導(dǎo)實(shí)驗(yàn)具有重要的科學(xué)意義和實(shí)用價值。
　　本文首先簡單的綜述了OFET發(fā)展情況和存在問題，介紹了制備OFET所需的各種有機(jī)材料和常用結(jié)構(gòu)的分類。闡述了載流子的注入和傳輸機(jī)制?；谀壳癘FET存在的問題以及未來發(fā)展趨勢，研究了在并五苯OFET有源層材料與金屬電極之間插入一層薄的金屬氧化物緩沖層對器件接觸電阻的影響，并研究了N型有機(jī)半導(dǎo)體材料富

3、勒烯C60及其衍生物PCBM與金屬Al的接觸電阻。
　　具體的研究內(nèi)容如下:
　　(1)制備了過渡金屬氧化物三氧化鎢(WO3)緩沖層修飾鋁(Al)電極的并五苯OFET，其中柵電極為ITO，絕緣層為PMMA。研究了WO3的厚度對OFET性能的影響。與未插入WO3器件相比，插入WO3薄膜后，減少了界面電偶極子，實(shí)現(xiàn)了退釘扎效應(yīng)，改善了注入勢壘，從而使得OFET性能的提高。
　　(2)制備了過渡金屬氧化物三氧化鉬(MoO3)

4、緩沖層修飾鋁(Al)電極的并五苯OFET，其中柵電極為ITO，絕緣層為PMMA。研究了MoO3的厚度對OFET性能的影響。與未插入MoO3器件相比，插入MoO3薄膜后，由于電子的隧穿效應(yīng)和源漏電極與有機(jī)半導(dǎo)體層能級匹配，改善了注入勢壘，降低了接觸電阻，從而使得OFET性能的提高。
　　(3)制備了有機(jī)半導(dǎo)體材料為C60和PCBM為有源層的OFET,其中柵電極為ITO，絕緣層為PVA，Al為源漏電極。分析了不同濃度下PVA對有源層為