有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(OFETs)器件的制備及特性研究.pdf

1、近年來(lái)，有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Organic Field Effect Transistors，OFETs)由于其成本低、可大面積加工、可與柔性襯底集成等優(yōu)勢(shì)，已經(jīng)逐漸的引起學(xué)術(shù)界的廣泛關(guān)注，成為有機(jī)電子學(xué)領(lǐng)域的重要研究課題之一。由于OFETs的諸多優(yōu)點(diǎn)，使得它在智能卡、有源矩陣驅(qū)動(dòng)電路、商品價(jià)格標(biāo)簽、電子條形碼標(biāo)簽、液晶顯示器和大面積傳感陣列等領(lǐng)域有著重要的應(yīng)用價(jià)值。
　　本論文首先簡(jiǎn)要介紹了有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的發(fā)展歷史、工作原理及性

2、能表征等內(nèi)容，并對(duì)基于酞菁銅(CuPc)的有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件的性能進(jìn)行了研究及討論研究，主要內(nèi)容包括：
　　(1)根據(jù)采用的器件結(jié)構(gòu)及特征尺寸等參數(shù)設(shè)計(jì)并制備蒸鍍用掩膜版；根據(jù)OFETs的性能表征原理設(shè)計(jì)出測(cè)試用PCB電路板并搭建出OFETs的測(cè)試電路，完成了OFETs器件制備平臺(tái)和表征平臺(tái)的搭建工作。
　　(2)通過(guò)設(shè)計(jì)多組對(duì)比實(shí)驗(yàn)探究氧等離子處理時(shí)間、有源層厚度、空穴注入層厚度等參數(shù)對(duì)器件性能的影響，探討出在本實(shí)驗(yàn)室環(huán)