寬帶全數(shù)字鎖相環(huán)中數(shù)控振蕩器設(shè)計.pdf

1、隨著工藝的進(jìn)步，電源電壓裕度隨之減小，加之成本的限制和單片集成上數(shù)字電路的噪聲影響，傳統(tǒng)的電荷泵鎖相環(huán)越來越難適應(yīng)現(xiàn)代無線通信的要求。在此背景下，設(shè)計靈活、成本低、對數(shù)字電路噪聲不是很敏感的全數(shù)字鎖相環(huán)成為研究熱點。
　　而在頻率綜合器中，全數(shù)控振蕩器是其中的核心模塊，它的性能直接影響全數(shù)字鎖相環(huán)的頻率范圍、相位噪聲、功耗、面積等。本論文通過對基于電感電容振蕩器的全數(shù)控振蕩器的研究，設(shè)計低相噪低功耗的寬帶數(shù)控振蕩器。
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2、.從反饋機(jī)制和負(fù)阻抗機(jī)制兩個角度分析了振蕩的機(jī)制，對于不同的振蕩器結(jié)構(gòu)，如環(huán)形振蕩器和電感電容振蕩器，可以采用合適的機(jī)制分析。而在無線射頻通信中，電感電容振蕩器的相位噪聲才能滿足要求。隨后主要分析了壓控電感電容振蕩器的各方面特性。最后引出電感電容的全數(shù)控振蕩器，并詳述了數(shù)控振蕩器的與壓控振蕩器不同的特性。
　　2.詳細(xì)推導(dǎo)了數(shù)控振蕩器最主要的性能指標(biāo):相位噪聲。數(shù)控振蕩器的相位噪聲包括器件本身噪聲和量化噪聲的貢獻(xiàn)，論文中分別就二者

3、進(jìn)行分析。
　　3.介紹了數(shù)控振蕩器中的無源器件結(jié)構(gòu)、設(shè)計方法和模型建立，包括電感、MOS可變電容和數(shù)控人造介質(zhì)（Digitally-controlled Artificial Dielectric，DiCAD）。文中介紹了電感感值估計、Q值的影響因素以及電感的建模，分析MOS可變電容的選取以及柵阻和溝道電阻對反型MOS可變電容Q值的影響，對DiCAD的結(jié)構(gòu)和建模進(jìn)行研究。
　　4.分別設(shè)計了基于DiCAD和基于反型MOS可